IRL510STRLPBF

מספר מוצר של יצרן:

IRL510STRLPBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRL510STRLPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

800 יחידות חדשות מק originales במלאי

12912174

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRL510STRLPBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

5.6A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

6.1 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

250 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263 (D2PAK)

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

IRL510

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRL510S, SiHL510S

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRL510STRLPBF-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IRL510STRLPBF-DG

IRL510STRLPBFCT

IRL510STRLPBFTR

IRL510STRLPBFDKR

חבילה סטנדרטית

800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

littelfuse

IXFK60N55Q2

MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA

vishay-siliconix

IRFR9014NTRL

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

vishay-siliconix

SI7368DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFZ44R

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB