מספר מוצר של יצרן:
IRFZ10PBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFZ10PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12913348
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFZ10PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
43W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFZ10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFZ10PBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFPS43N50K
MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
IRLR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
SI8823EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
