מספר מוצר של יצרן:
IRFU4105ZTR
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFU4105ZTR-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251AA
מלאי:
12959731
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFU4105ZTR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
24.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
740 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
48W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251AA
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IRFU4105
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI5481DU-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
SI2335DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
IRF840STRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
