IRFU110PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRFU110PBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFU110PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA

מלאי:

2472 יחידות חדשות מק originales במלאי

12908327

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRFU110PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.3A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

540mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

8.3 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

180 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

25W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-251AA

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

IRFU110

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRFU110, SiHFU110

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRFU110PBF

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRF644NSTRR

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

nexperia

BSH202,215

MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB

vishay-siliconix

IRF820ASTRR

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFB17N60K

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB