מספר מוצר של יצרן:
IRFSL9N60ATRL
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFSL9N60ATRL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
12910296
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFSL9N60ATRL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
170W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRFSL9
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
AOW11N60
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
773
DiGi מספר חלק
AOW11N60-DG
מחיר ליחידה
0.82
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IRF737LCS
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
IXTP450P2
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB