מספר מוצר של יצרן:
IRFPG50PBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFPG50PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
127 יחידות חדשות מק originales במלאי
12959907
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFPG50PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
190 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IRFPG50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFPG50PBF
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI2327DS-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
SI1012X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
SI3456CDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
