מספר מוצר של יצרן:
IRFPE30
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFPE30-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
12914785
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFPE30 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
78 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IRFPE30
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFPE30
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFPE30PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
383
DiGi מספר חלק
IRFPE30PBF-DG
מחיר ליחידה
2.37
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI8405DB-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
IXTM11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
IXTH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
