מספר מוצר של יצרן:
IRFIBF20G
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFIBF20G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 1.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12953882
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFIBF20G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8Ohm @ 720mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
490 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IRFIBF20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFIBF20G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP2N100
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTP2N100-DG
מחיר ליחידה
3.24
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
2SK3566(STA4,Q,M)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
386
DiGi מספר חלק
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFP4N100Q
יצרן
IXYS
כמות זמינה
261
DiGi מספר חלק
IXFP4N100Q-DG
מחיר ליחידה
3.60
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP3NK90ZFP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
799
DiGi מספר חלק
STP3NK90ZFP-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFIBF20GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
988
DiGi מספר חלק
IRFIBF20GPBF-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFP460APBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
SIHFZ48S-GE3
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
SUD08P06-155L-GE3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
