IRFD9220PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRFD9220PBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFD9220PBF-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

תיאור מפורט:

P-Channel 200 V 560mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12881521

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRFD9220PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

560mA (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.5Ohm @ 340mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

15 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

340 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

4-HVMDIP

חבילה / מארז

4-DIP (0.300", 7.62mm)

מספר מוצר בסיסי

IRFD9220

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

2266-IRFD9220PBF

*IRFD9220PBF

חבילה סטנדרטית

100

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

stmicroelectronics

STD15N50M2AG

MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK

stmicroelectronics

STP5N62K3

MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB

stmicroelectronics

STH110N8F7-2

MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2

STU25N10F7

MOSFET N-CH 100V 25A IPAK