IRFD113

מספר מוצר של יצרן:

IRFD113

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFD113-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12904839

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRFD113 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

800mA (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

800mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

7 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

200 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

4-HVMDIP

חבילה / מארז

4-DIP (0.300", 7.62mm)

מספר מוצר בסיסי

IRFD113

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRFD113,SiHFD113

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IRFD113PBF

יצרן

Vishay Siliconix

כמות זמינה

2315

DiGi מספר חלק

IRFD113PBF-DG

מחיר ליחידה

0.81

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

ZVN2106ASTZ

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE

vishay-siliconix

IRF9Z20PBF

MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB

diodes

ZXMN10A07FTC

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

littelfuse

IXFV15N100P

MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220