מספר מוצר של יצרן:
IRFD020PBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFD020PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
תיאור מפורט:
N-Channel 50 V 2.4A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
מלאי:
6607 יחידות חדשות מק originales במלאי
12959792
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFD020PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
50 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
4-HVMDIP
חבילה / מארז
4-DIP (0.300", 7.62mm)
מספר מוצר בסיסי
IRFD020
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2266-IRFD020PBF
*IRFD020PBF
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7454CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
IRFR420TR
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
