מספר מוצר של יצרן:
IRFD010
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFD010-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
תיאור מפורט:
N-Channel 50 V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
מלאי:
12912859
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFD010 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
50 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 860mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
250 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
4-HVMDIP
חבילה / מארז
4-DIP (0.300", 7.62mm)
מספר מוצר בסיסי
IRFD010
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFD010
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7366DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
SI4430BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IXTU01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
