מספר מוצר של יצרן:
IRFBG30
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBG30-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12906999
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBG30 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
980 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFBG30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFBG30
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFBG30PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
4495
DiGi מספר חלק
IRFBG30PBF-DG
מחיר ליחידה
1.02
סוג משאב
Direct
מספר חלק
IXFP3N120
יצרן
IXYS
כמות זמינה
5212
DiGi מספר חלק
IXFP3N120-DG
מחיר ליחידה
4.03
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP3NK90Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
361
DiGi מספר חלק
STP3NK90Z-DG
מחיר ליחידה
0.77
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFPG30PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
124
DiGi מספר חלק
IRFPG30PBF-DG
מחיר ליחידה
1.48
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
STP5NK100Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3779
DiGi מספר חלק
STP5NK100Z-DG
מחיר ליחידה
1.69
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ZXMP3F36N8TA
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
IXFN52N100X
MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
IXFA3N80
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
