מספר מוצר של יצרן:
IRFBE30STRR
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBE30STRR-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12914630
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBE30STRR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
78 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRFBE30
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB7NK80ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4410
DiGi מספר חלק
STB7NK80ZT4-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SIHFBE30S-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
990
DiGi מספר חלק
SIHFBE30S-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.70
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IRF540NSTRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
7309
DiGi מספר חלק
IRF540NSTRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFBE30STRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
800
DiGi מספר חלק
IRFBE30STRLPBF-DG
מחיר ליחידה
1.51
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SIHFBE30STRL-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
800
DiGi מספר חלק
SIHFBE30STRL-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.71
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
IRFD9123PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
SI4890BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
