מספר מוצר של יצרן:
IRFBE30
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBE30-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12893836
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBE30 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
78 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFBE30
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFBE30
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP5NK80Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
240
DiGi מספר חלק
STP5NK80Z-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP4N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
202
DiGi מספר חלק
STP4N80K5-DG
מחיר ליחידה
0.73
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP4NK80Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STP4NK80Z-DG
מחיר ליחידה
0.76
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP3N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
841
DiGi מספר חלק
STP3N80K5-DG
מחיר ליחידה
0.59
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFBE30PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2597
DiGi מספר חלק
IRFBE30PBF-DG
מחיר ליחידה
0.83
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM6N50CP ROG
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252
DMP4050SSS-13
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
DMT6005LSS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
