מספר מוצר של יצרן:
IRFBC30STRL
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBC30STRL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12907581
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBC30STRL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
31 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
660 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRFBC30
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFBC30STRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
52
DiGi מספר חלק
IRFBC30STRLPBF-DG
מחיר ליחידה
1.29
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP62N15P
MOSFET N-CH 150V 62A TO220AB
IXTA4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
IRF9620
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
