מספר מוצר של יצרן:
IRFBC20STRLPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBC20STRLPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
416 יחידות חדשות מק originales במלאי
12913644
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBC20STRLPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRFBC20
מידע נוסף
שמות אחרים
IRFBC20STRLPBFDKR
IRFBC20STRLPBFTR
IRFBC20STRLPBFCT
IRFBC20STRLPBF-DG
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4164DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
SI4110DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.3A 8SO
SI7886ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
