מספר מוצר של יצרן:
IRF9Z14PBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF9Z14PBF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
4806 יחידות חדשות מק originales במלאי
12868917
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF9Z14PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
270 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
43W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF9Z14
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF9Z14PBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFBC40APBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
IRFD014PBF
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
IRFPE50
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
