IRF9610STRL

מספר מוצר של יצרן:

IRF9610STRL

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF9610STRL-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

תיאור מפורט:

P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12858489

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF9610STRL מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1.8A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

11 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

170 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3W (Ta), 20W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263 (D2PAK)

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

IRF9610

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRF9610S, SiHF9610S

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTD20P06LG

MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK

onsemi

NVMFS5832NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN

onsemi

VN2222LL

MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3

onsemi

NTF3055-100T3G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223