מספר מוצר של יצרן:
IRF9530SPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF9530SPBF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 12A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
997 יחידות חדשות מק originales במלאי
12843378
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF9530SPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
860 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRF9530
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF9530SPBFCT
IRF9530SPBFCT-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MMFT960T1G
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
IRF840BPBF
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
NTP30N06
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB