מספר מוצר של יצרן:
IRF830BPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF830BPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
2784 יחידות חדשות מק originales במלאי
12910708
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF830BPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
325 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF830
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
שרטוטי מוצרים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTK150N15P
MOSFET N-CH 150V 150A TO264
IRF840ALPBF
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
IRLR120TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK