מספר מוצר של יצרן:
IRF640LPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF640LPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262-3
מלאי:
12910997
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF640LPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IRF640
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF640LPBF
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQB19N20TM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
2296
DiGi מספר חלק
FQB19N20TM-DG
מחיר ליחידה
0.87
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF640NLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
794
DiGi מספר חלק
IRF640NLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.90
סוג משאב
Direct
מספר חלק
RCJ160N20TL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1000
DiGi מספר חלק
RCJ160N20TL-DG
מחיר ליחידה
0.68
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF640NSTRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
39715
DiGi מספר חלק
IRF640NSTRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.63
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK24N90Q
MOSFET N-CH 900V 24A TO264AA
IRFL9110
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
IXFX420N10T
MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3
