IRF634PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF634PBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF634PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB

תיאור מפורט:

N-Channel 250 V 8.1A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

6636 יחידות חדשות מק originales במלאי

12859754

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF634PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

250 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8.1A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

450mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

41 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

770 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

74W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220AB

חבילה / מארז

TO-220-3

מספר מוצר בסיסי

IRF634

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

גליונות נתונים

IRF634 Packaging Information

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRF634PBF

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTD32N06-1G

MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

onsemi

NTTFS4824NTAG

MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN

onsemi

NTD4302G

MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK

infineon-technologies

IRF1404STRRPBF

MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK