IRF520PBF-BE3
מספר מוצר של יצרן:

IRF520PBF-BE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF520PBF-BE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

4591 יחידות חדשות מק originales במלאי
12955084
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF520PBF-BE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
360 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF520

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
742-IRF520PBF-BE3
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
taiwan-semiconductor

TQM043NH04CR RLG

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay-siliconix

SUD50N02-09P-E3

MOSFET N-CH 20V TO252

vishay-siliconix

SQJ146ELP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

fairchild-semiconductor

FCH130N60

MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3