מספר מוצר של יצרן:
2N6661JTX02
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
2N6661JTX02-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
תיאור מפורט:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
מלאי:
12873273
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2N6661JTX02 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
90 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
860mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
50 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-39
חבילה / מארז
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
מספר מוצר בסיסי
2N6661
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
20
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
2N6661
יצרן
Solid State Inc.
כמות זמינה
6694
DiGi מספר חלק
2N6661-DG
מחיר ליחידה
4.60
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP36N55M5
MOSFET N-CH 550V 33A TO220
STP26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
STF32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A TO-220FP
