מספר מוצר של יצרן:
2N6660-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
2N6660-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AD (TO-39)
מלאי:
12910499
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2N6660-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
990mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
50 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-205AD (TO-39)
חבילה / מארז
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
מספר מוצר בסיסי
2N6660
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFP350LCPBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
IRFPE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
IRL520PBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
