2N65G

מספר מוצר של יצרן:

2N65G

Product Overview

יצרן:

UMW

DiGi Electronics מספר חלק:

2N65G-DG

תיאור:

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

תיאור מפורט:

N-Channel 650 V 2A (Tj) Surface Mount SOT-223

מלאי:

2453 יחידות חדשות מק originales במלאי

12991426

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

2N65G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

UMW

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

UMW

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

650 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2A (Tj)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

14.5 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

311 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

-

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-223

חבילה / מארז

TO-261-4, TO-261AA

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

4518-2N65GDKR

4518-2N65GCT

4518-2N65GTR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

utd-semiconductor

SI2305A

20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50

utd-semiconductor

1N60L

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

AIMBG120R060M1XTMA1

SIC_DISCRETE

utd-semiconductor

SI2328A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R