מספר מוצר של יצרן:
TP65H035WSQA
Product Overview
יצרן:
Transphorm
DiGi Electronics מספר חלק:
TP65H035WSQA-DG
תיאור:
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
202 יחידות חדשות מק originales במלאי
13446162
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TP65H035WSQA מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Transphorm
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
47.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 400 V
פיזור כוח (מרבי)
187W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
TP65H035
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
60
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPH3208LDG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3208LS
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
