מספר מוצר של יצרן:
XPW4R10ANB,L1XHQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
XPW4R10ANB,L1XHQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 70A 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
מלאי:
16106 יחידות חדשות מק originales במלאי
12949147
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
XPW4R10ANB,L1XHQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
70A
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
75 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4970 pF @ 10 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
170W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-DSOP Advance
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR
264-XPW4R10ANB,L1XHQTR
264-XPW4R10ANB,L1XHQCT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
UF3SC065040B7S
650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
DMP2021UFDE-13
MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
IRF100P218AKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
