מספר מוצר של יצרן:
XPN3R804NC,L1XHQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
XPN3R804NC,L1XHQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
מלאי:
7610 יחידות חדשות מק originales במלאי
12939543
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
XPN3R804NC,L1XHQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 300µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2230 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
840mW (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
XPN3R804
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
264-XPN3R804NCL1XHQTR
264-XPN3R804NCL1XHQDKR
264-XPN3R804NCL1XHQCT
XPN3R804NC,L1XHQ(O
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQ2318AES-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
IRF7809AVTRPBF-1
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
IRF7456TRPBF-1
MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
