TPN2R903PL,L1Q

מספר מוצר של יצרן:

TPN2R903PL,L1Q

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TPN2R903PL,L1Q-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 70A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

מלאי:

37456 יחידות חדשות מק originales במלאי

12920957

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TPN2R903PL,L1Q מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

U-MOSIX-H

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

70A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.9mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.1V @ 200µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

26 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2300 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

630mW (Ta), 75W (Tc)

טמפרטורת פעולה

175°C

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-TSON Advance (3.1x3.1)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

TPN2R903

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

264-TPN2R903PLL1QTR

264-TPN2R903PLL1QCT

TPN2R903PL,L1Q(M

264-TPN2R903PLL1QDKR

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R504PL,LQ

MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPWR6003PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK110A10PL,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

vishay-siliconix

SQ3410EV-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP