מספר מוצר של יצרן:
TPN19008QM,LQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPN19008QM,LQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
מלאי:
10887 יחידות חדשות מק originales במלאי
12968133
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPN19008QM,LQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSX-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
34A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1400 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
630mW (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSON Advance (3.1x3.1)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPN19008
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TPN19008QMLQTR
264-TPN19008QMLQDKR
TPN19008QM,LQ(S
264-TPN19008QMLQCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MCH6337-TL-E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P
FDMS5361L-F085
FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH
MCU60P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
