מספר מוצר של יצרן:
TPN1600ANH,L1Q
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPN1600ANH,L1Q-DG
תיאור:
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
מלאי:
1395 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890201
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPN1600ANH,L1Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1600 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
700mW (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSON Advance (3.1x3.1)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPN1600
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TPN1600ANHL1QCT
TPN1600ANH,L1Q(M
TPN1600ANHL1QDKR
TPN1600ANHL1QTR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3J117TU,LF
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
TPWR8004PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
SSM3K09FU,LF
MOSFET N-CH 30V 400MA USM
