מספר מוצר של יצרן:
TPH2R608NH,L1Q
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPH2R608NH,L1Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 150A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
מלאי:
67828 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890874
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPH2R608NH,L1Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
150A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6000 pF @ 37.5 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
142W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP Advance (5x5)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPH2R608
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TPH2R608NH,L1Q(M
TPH2R608NHL1QDKR
TPH2R608NHL1QTR
TPH2R608NHL1QCT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3K341R,LF
MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
SSM3K15FS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
SSM5N15FE(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
