מספר מוצר של יצרן:
TPCF8102(TE85L,F,M
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPCF8102(TE85L,F,M-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
מלאי:
12891019
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPCF8102(TE85L,F,M מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
U-MOSIII
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1550 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
700mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
VS-8 (2.9x1.5)
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
מספר מוצר בסיסי
TPCF8102
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK12J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
TK14C65W5,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
TK14E65W5,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
