מספר מוצר של יצרן:
TPCC8105,L1Q(CM
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPCC8105,L1Q(CM-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
מלאי:
12942880
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPCC8105,L1Q(CM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
76 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+20V, -25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3240 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
700mW (Ta), 30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSON Advance (3.3x3.3)
חבילה / מארז
8-VDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
TPCC8105
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TPCC8105L1Q(CMTR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TPCC8105,L1Q
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
5000
DiGi מספר חלק
TPCC8105,L1Q-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFH8316TRPBF-IR
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
FCH041N65F
N-CHANNEL, MOSFET
IRLU3802PBF
HEXFET POWER MOSFET
