TK8A65W,S5X

מספר מוצר של יצרן:

TK8A65W,S5X

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TK8A65W,S5X-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS

תיאור מפורט:

N-Channel 650 V 7.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

מלאי:

50 יחידות חדשות מק originales במלאי

12891033

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TK8A65W,S5X מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tube

סדרה

DTMOSIV

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

650 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

7.8A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

650mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3.5V @ 300µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

16 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

570 pF @ 300 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

30W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220SIS

חבילה / מארז

TO-220-3 Full Pack

מספר מוצר בסיסי

TK8A65

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TK8A65W,S5X(M

TK8A65WS5X

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

nexperia

PHP23NQ11T,127

MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC6113(TE85L,F,M)

MOSFET P-CH 20V 5A VS-6

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14E65W,S1X

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCC8067-H,LQ(S

MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON