מספר מוצר של יצרן:
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK8A50DA(STA4,Q,M)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 7.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
38 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889927
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK8A50DA(STA4,Q,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
π-MOSVII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK8A50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK8A50DA(STA4QM)
TK8A50DASTA4QM
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
R5007FNX
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
212
DiGi מספר חלק
R5007FNX-DG
מחיר ליחידה
1.02
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFI840GLCPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
113
DiGi מספר חלק
IRFI840GLCPBF-DG
מחיר ליחידה
1.25
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK60S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
SSM3J64CTC,L3F
MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
