מספר מוצר של יצרן:
TK6A65W,S5X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK6A65W,S5X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 5.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
12889096
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK6A65W,S5X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 180µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
390 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK6A65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK6A65WS5X
TK6A65W,S5X(M
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPA60R950C6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
IPA60R950C6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP9NK65ZFP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
68
DiGi מספר חלק
STP9NK65ZFP-DG
מחיר ליחידה
0.65
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6J207FE,LF
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
DMP3017SFG-13
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
TK14A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 14A TO220SIS
