מספר מוצר של יצרן:
TK5R1P08QM,RQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK5R1P08QM,RQ-DG
תיאור:
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
15568 יחידות חדשות מק originales במלאי
12967433
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK5R1P08QM,RQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSX-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
84A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.1mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 700µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3980 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TK5R1P08QM,RQDKR-DG
264-TK5R1P08QM,RQDKR
264-TK5R1P08QMRQDKR
264-TK5R1P08QM,RQTR
TK5R1P08QM,RQ(S2
264-TK5R1P08QM,RQCT-DG
264-TK5R1P08QM,RQCT
264-TK5R1P08QMRQTR
264-TK5R1P08QM,RQTR-DG
264-TK5R1P08QMRQCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIJH600E-T1-GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2SJ462-T1-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
UF3SC065030D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN