מספר מוצר של יצרן:
TK42A12N1,S4X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK42A12N1,S4X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 42A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
250 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891201
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK42A12N1,S4X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
42A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.4mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3100 pF @ 60 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK42A12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK42A12N1S4X
TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-DG
Q10136417
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6J213FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
