מספר מוצר של יצרן:
TK3A65DA(STA4,QM)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK3A65DA(STA4,QM)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 2.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
12890578
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK3A65DA(STA4,QM) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
π-MOSVII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
490 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK3A65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK3A65DA(STA4QM)
TK3A65DASTA4QM
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPN6R303NC,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
TPCA8026(TE12L,Q,M
MOSFET N-CH 30V 45A 8SOP
TK13A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
