מספר מוצר של יצרן:
TK39N60X,S1F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK39N60X,S1F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
30 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891669
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK39N60X,S1F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1.9mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
85 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4100 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
270W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
TK39N60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK39N60XS1F
TK39N60X,S1F(S
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT8008SPS-13
MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
SSM4K27CTTPL3
MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
DMP2040UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
