מספר מוצר של יצרן:
TK33S10N1L,LXHQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK33S10N1L,LXHQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
מלאי:
3908 יחידות חדשות מק originales במלאי
12943587
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK33S10N1L,LXHQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
33A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2250 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK+
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
TK33S10
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK33S10N1L,LXHQ(O
264-TK33S10N1LLXHQCT
264-TK33S10N1LLXHQDKR
264-TK33S10N1LLXHQTR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK160F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
STD18N65M2-EP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
