מספר מוצר של יצרן:
TK31V60W5,LVQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK31V60W5,LVQ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
מלאי:
12788 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890391
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK31V60W5,LVQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
109mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3000 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
240W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TA)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-DFN-EP (8x8)
חבילה / מארז
4-VSFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
TK31V60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK31V60W5LVQDKR
TK31V60W5LVQTR
TK31V60W5LVQCT
TK31V60W5,LVQ(S
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPH8R903NL,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
SSM3J35AMFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
