TK290P65Y,RQ

מספר מוצר של יצרן:

TK290P65Y,RQ

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TK290P65Y,RQ-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12890913

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TK290P65Y,RQ מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

DTMOSV

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

650 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

11.5A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

290mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 450µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

25 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

730 pF @ 300 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

100W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DPAK

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מספר מוצר בסיסי

TK290P65

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TK290P65Y,RQ(S

TK290P65YRQDKR

TK290P65YRQCT

TK290P65YRQTR

TK290P65YRQ(S

חבילה סטנדרטית

2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K35MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 180MA VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN5900CNH,L1Q

MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TK10A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK4A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS