מספר מוצר של יצרן:
TK065U65Z,RQ
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK065U65Z,RQ-DG
תיאור:
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 38A (Ta) 270W (Tc) Surface Mount TOLL
מלאי:
5868 יחידות חדשות מק originales במלאי
12989670
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK065U65Z,RQ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
DTMOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1.69mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
62 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3650 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
270W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TOLL
חבילה / מארז
8-PowerSFN
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
264-TK065U65ZRQCT
264-TK065U65ZRQTR
TK065U65Z,RQ(S
264-TK065U65ZRQDKR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTBGS001N06C
POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
IPW65R110CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
NVMFS5C420NLT1G
POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
