מספר מוצר של יצרן:
SSM6P35AFE,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6P35AFE,LF-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
מלאי:
7714 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889217
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6P35AFE,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVII
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
42pF @ 10V
הספק - מקס'
150mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
ES6
מספר מוצר בסיסי
SSM6P35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6P35AFELFTR
SSM6P35AFE,LF(B
SSM6P35AFELFCT
SSM6P35AFELFDKR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6N15AFU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6L09FUTE85LF
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
SSM6N815R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
