מספר מוצר של יצרן:
SSM6N62TU,LXHF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6N62TU,LXHF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
מלאי:
1455 יחידות חדשות מק originales במלאי
12964809
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6N62TU,LXHF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
800mA (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
85mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
177pF @ 10V
הספק - מקס'
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
חבילת מכשירים לספקים
UF6
מספר מוצר בסיסי
SSM6N62
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
264-SSM6N62TULXHFTR
264-SSM6N62TULXHFDKR
264-SSM6N62TULXHFCT
SSM6N62TU,LXHF(B
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJQ1820_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
SH8MC5TB1
MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP
QH8MB5TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
