מספר מוצר של יצרן:
SSM6L35FU(TE85L,F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6L35FU(TE85L,F)-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
מלאי:
2617 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891303
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6L35FU(TE85L,F) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180mA, 100mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9.5pF @ 3V
הספק - מקס'
200mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
US6
מספר מוצר בסיסי
SSM6L35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6L35FU(TE85LF)TR
SSM6L35FU (TE85L,F)
SSM6L35FU(TE85LF)DKR
SSM6L35FU(TE85LF)CT
SSM6L35FUTE85LF
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6P69NU,LF
MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
TPCP8401(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V/12V PS-8
SSM6P15FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
